應(yīng)用原理 / Principle

Light-Induced Annealing（LIA）： α-Si：H/c-Si的界面存在大量的界面態(tài)（Si懸掛鍵），研究發(fā)現(xiàn)，在光照的情況下，對(duì)此結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱退火，可以有效減少界面態(tài)（Si懸掛鍵）密度，降低界面復(fù)合，從而提高非晶硅的鈍化效果。這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)之為光誘導(dǎo)退火，簡(jiǎn)稱(chēng)LIA；HJT電池結(jié)構(gòu)中，存在α-Si：H /c-Si的界面；在光照情況下，對(duì)HJT電池進(jìn)行加熱退火，發(fā)現(xiàn)電池轉(zhuǎn)換效率明顯上升，主要體現(xiàn)在Voc和FF的提升上。